[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [5p-C17-6] オフ角の異なるm 面GaN 基板上Si ドープ厚膜SBD

〇安藤 悠人¹、永松 謙太郎²、田中 敦之^2,3、宇佐美 茂佳¹、バリー ウスマン1^3,1、出来 真斗²、久志本 真希¹、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,4,5 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.物質・材料研究機構、4.名大赤﨑記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：GaN、m面、オフ角

窒化ガリウム（GaN）は次世代パワーデバイスとしての応用が期待されている. GaN 系パワーデバ
イスにはc 面が多く用いられているが, 非極性面や半極性面など, 他の面も利用できる可能性があ
る. m 面基板上のエピ層ではアンドープであっても酸素の取り込みが多くn 型となるが, オフ角基板
を用いることで検出下限以下まで不純物の取り込みを抑制できる. 本報告ではオフ角の異なるm
面GaN基板上に低濃度シリコンドープ層を厚膜成長し, ショットキーバリアダイオードを作製した.