[6a-A203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [6a-A203-7] High-k/In_1-xSi_xO_1-yC_yチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響

〇(D)栗島 一徳^1,2、生田目 俊秀²、女屋 崇^1,2、木津 たきお²、塚越 一仁²、大井 暁彦²、池田 直樹²、知京 豊裕²、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.物材機構)

キーワード：In1-xSixO1-yCy、High-k材料、酸化物TFT

本研究では、原子層堆積(ALD)法で作製した3種類のHigh-k (HK)膜をゲート絶縁膜に用いたIn_1-xSi_xOC-TFTを作製して、HK/ISOCチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響について議論した結果を報告する。