[6a-A301-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[6a-A301-10] Influence of Ambient Oxygen on Si Incorporation during High Temperature HVPE of AlN

〇Keita Konishi¹, Reo Yamamoto^1,2, Rie Togashi^1,3, Toru Nagashima², Toru Kinoshita², Rafael Dalmau⁴, Raoul Schlesser⁴, Hisashi Murakami^1,3, Ramon Collazo⁵, Bo Monemar^3,6, Zlatko Sitar⁵, Yoshinao Kumagai^1,3 (1.TUAT, 2.Tokuyama Corporation, 3.TUAT GIR, 4.HexaTech, Inc., 5.NC State Univ., 6.Linkoping Univ.)

Keywords:HVPE, Aluminum nitride, Doping

我々は、導電性AlN基板の作製を目的として、SiドープAlNの高温ハイドライド気相成長を検討したところ、用いた基板の違いに起因する系内酸素量の差によって、Si取込量が大きく異なることを見出したので報告する。