[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-17] 新素材のハーフインチウェハ化加⼯モデル

〇梅山 規男^1,2、酒井 孝昭³、鍛冶倉 惇³、市川 浩一郎³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.不二越機械工業)

キーワード：ミニマルファブ、SOI、GaAs

ミニマルファブは、人サイズの装置を用い、クリーンルーム不要の環境下で、ハーフインチウェハを用いて半導体デバイス製造を行うことができるが、大口径化が困難な素材において、ハーフインチというサイズは、そのデバイス応用開発を極めて容易にする。本報告では、シリコン以外のウェハ素材についてハーフインチ開発状況を述べるとともに、新素材をハーフインチ化する際の加工モデルを提案し、議論を行う。