[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-2] SiH₂Cl₂-SiH_x-H₂系によるシリコン薄膜成長速度増大方法

〇山田 彩未¹、羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：エピタキシャル成長、ジクロロシラン、成長機構

シリコン(Si)エピタキシャル薄膜の需要が増え、その生産量を増やすために、成膜速度を上げることが望まれている。その際には、原料であるジクロロシラン(SiH2Cl2, DCS)濃度を増大させると、ラングミュア型表面反応機構が原因となって成膜速度が飽和するという課題がある。その解決のため本研究では、主原料であるDCSガスにSiHxガスを混合させることにより成膜速度が増大することを検討する。