[7a-S22-1~11] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[7a-S22-8] Change in electrical properties of Mg-ion implanted GaN by annealing

〇Naoshige Yokota¹, Kei Uetake¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE-Hokkaido-Univ.)

Keywords:Mg ion implantation, GaN

Mgイオン注入によるGaN中へのp形領域形成は、一般には非常に難しく、その原因・機構については明らかになっていない。欠陥準位が発生してキャリアを補償している可能性があるが、原因を探るにあたっては、イオン注入により発生する欠陥準位と、アニールによって生じる準位、結晶成長時に発生する準位とを分けて評価すべきである。本報告においては、結晶成長による欠陥の少ない自立基板上のGaNエピタキシャル成長層に低ドーズでMgイオン注入を行い、比較的低い温度でのアニール前後の電気的特性を比較した結果を報告する。