The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[8a-C21-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

Fri. Sep 8, 2017 9:15 AM - 12:00 PM C21 (C21)

Reo Kometani(Univ. of Tokyo)

11:30 AM - 11:45 AM

[8a-C21-10] Influence of metal electrode on electrical property of metal/SixGe1−xySny/Ge contact

Akihiro Suzuki1,2, Osamu Nakatsuka1,3, Mitsuo Sakashita1, Shigeaki Zaima3 (1.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 2.Research Fellow of JSPS, 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:Schottky barrier height, Fermi level pinning, Silicon germanium tin

金属/Ge界面における強いフェルミレベルピニング(FLP)現象による、金属/n-Ge接合における、金属種に依存しない高いショットキー障壁高さ(SBH)が問題である。今回、様々な仕事関数をもつ金属を電極とする金属/SixGe1−xySny/n-Geコンタクトのショットキー障壁高さを調べた。その結果、仕事関数が小さいほど、SBHが低くなることが分かった。これは、SixGe1−xySny中間層の導入により、金属/Ge界面のFLP現象が緩和される可能性を示唆している。