11:30 AM - 11:45 AM
△ [8a-C21-10] Influence of metal electrode on electrical property of metal/SixGe1−x−ySny/Ge contact
Keywords:Schottky barrier height, Fermi level pinning, Silicon germanium tin
金属/Ge界面における強いフェルミレベルピニング(FLP)現象による、金属/n-Ge接合における、金属種に依存しない高いショットキー障壁高さ(SBH)が問題である。今回、様々な仕事関数をもつ金属を電極とする金属/SixGe1−x−ySny/n-Geコンタクトのショットキー障壁高さを調べた。その結果、仕事関数が小さいほど、SBHが低くなることが分かった。これは、SixGe1−x−ySny中間層の導入により、金属/Ge界面のFLP現象が緩和される可能性を示唆している。