[8a-C21-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

△ [8a-C21-10] Influence of metal electrode on electrical property of metal/Si_xGe_1−x−ySn_y/Ge contact

〇Akihiro Suzuki^1,2, Osamu Nakatsuka^1,3, Mitsuo Sakashita¹, Shigeaki Zaima³ (1.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 2.Research Fellow of JSPS, 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:Schottky barrier height, Fermi level pinning, Silicon germanium tin

金属/Ge界面における強いフェルミレベルピニング（FLP）現象による、金属/n-Ge接合における、金属種に依存しない高いショットキー障壁高さ（SBH）が問題である。今回、様々な仕事関数をもつ金属を電極とする金属/Si_xGe_1−x−ySn_y/n-Geコンタクトのショットキー障壁高さを調べた。その結果、仕事関数が小さいほど、SBHが低くなることが分かった。これは、Si_xGe_1−x−ySn_y中間層の導入により、金属/Ge界面のFLP現象が緩和される可能性を示唆している。