[8a-C21-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [8a-C21-10] 金属/Si_xGe_1−x−ySn_y/Ge接合の電気伝導特性に対する電極材料の影響

〇鈴木 陽洋^1,2、中塚 理^1,3、坂下 満男¹、財満 鎭明³ (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大未来研)

キーワード：ショットキー障壁高さ、フェルミレベルピニング、シリコンゲルマニウム錫

金属/Ge界面における強いフェルミレベルピニング（FLP）現象による、金属/n-Ge接合における、金属種に依存しない高いショットキー障壁高さ（SBH）が問題である。今回、様々な仕事関数をもつ金属を電極とする金属/Si_xGe_1−x−ySn_y/n-Geコンタクトのショットキー障壁高さを調べた。その結果、仕事関数が小さいほど、SBHが低くなることが分かった。これは、Si_xGe_1−x−ySn_y中間層の導入により、金属/Ge界面のFLP現象が緩和される可能性を示唆している。