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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8a-C21-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年9月8日(金) 09:15 〜 12:00 C21 (C21)

米谷玲皇(東大)

11:15 〜 11:30

[8a-C21-9] TiN/Ge界面のショットキーバリアに関する第一原理計算による検討

〇(M1)西本俊輝¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

キーワード：ショットキーバリア、ゲルマニウム