[14a-304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [14a-304-2] リン酸溶液中でのXeFエキシマレーザー照射による低温ポリシリコンへのリンドーピングとその電気特性評価

〇(B)田中 希¹、諏訪 輝^1,2、中村 大輔¹、佐道 泰造¹、池上 浩^1,2 (1.九州大、2.九州大ギガフォトン共同部門)

キーワード：液中レーザードーピング、エキシマレーザーアニーリング、低温ポリシリコン

リン酸溶液中でXeFエキシマレーザーを低温ポリシリコン薄膜へ照射し、膜中へのリンドーピングを行なった。低温ポリシリコンはガラス基板上に成膜したアモルファスシリコンをXeFエキシマレーザーアニーリングにより作製し、その膜厚は50 nmであった。リン酸溶液中でレーザーを照射した結果、抵抗率が0.21 Ω・cmまで低下し、リンが6.7×10¹⁸ cm^-3​ドーピングされていることを確認した。