[15a-412-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [15a-412-4] 格子状核発生領域から成長させたヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜中の欠陥形成における設計方位依存性

〇市川 公善¹、児玉 英之¹、鈴木 一博²、澤邊 厚仁¹ (1.青学大理工、2.トウプラスエンジニアリング)

キーワード：ダイヤモンド薄膜、ヘテロエピタキシャル成長、欠陥

これまで、Ir/MgO基板上に<100>方位に作製した格子状核発生領域からダイヤモンドをエピタキシャル成長させる事により、従来法と比較して貫通転位密度を2桁程度減少できる事を報告した。また、核発生領域の基板面内方位を<110>方向に変化させた場合、貫通転位の減少に効果がみられない事もわかっており、欠陥形成の設計方位依存性は、不明確である。本研究では、設計方位を変化させた格子状核発生領域を用いて作製したダイヤモンドから、各格子に対して同じように薄片試料を切り出しTEMよる観察を行う事で、格子状核発生領域を用いた成長における欠陥形成の設計方位依存性を明らかにする。