[17a-E206-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-E206-6] W内包Siクラスター凝集薄膜を用いた金属/Si接合の障壁高さ制御

〇岡田 直也^1,2、内田 紀行¹、金山 敏彦¹ (1.産総研、2.JSTさきがけ)

キーワード：コンタクト、シリサイド、クラスター

本研究ではSiとのバンドオフセットが小さく、かつ界面状態を形成しない接合材料として、W内包Siクラスター（WSi_n）を凝集させた半導体薄膜（WSi_n膜）に着目している。光学ギャップを有するアモルファスWSi_n膜をSiとW電極の接触界面に挿入することで、フェルミレベルピンニングを緩和でき、W電極の仕事関数に対応するエネルギー位置まで電子障壁高さを低減できる。この電子障壁高さは、WSi_n膜（n = ~12）の熱処理により、さらに低減できる。