一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
2018年9月21日(金) 09:00 〜 11:30 145 (レセプションホール)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇影島 博之1,4、白石 賢二2,4、遠藤 哲郎3,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST-ACCEL)
スケジュール
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09:15 〜 09:30
〇(M2)名倉 拓哉1、長川 健太1、洗平 昌晃1,2,6、影島 博之3,6、遠藤 哲郎4,5,6、白石 賢二1,2,6 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院自然科学、4.東北大院工、5.国際集積セ、6.JST-ACCEL)
スケジュール
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09:30 〜 09:45
〇亀田 直人1、三浦 敏徳1、森川 良樹1、花倉 満1、中村 健2、野中 秀彦2 (1.明電舎、2.産総研)
スケジュール
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09:45 〜 10:00
〇今瀬 章公1、松本 茂樹1、徐 永華1、柴田 雅仁1 (1.トリケミカル研究所)
スケジュール
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10:00 〜 10:15
〇大田 晃生1、池田 弥央1、牧原 克典1、宮﨑 誠一1 (1.名大)
スケジュール
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10:30 〜 10:45
〇女屋 崇1,2,3、生田目 俊秀2、澤本 直美1、大井 暁彦2、池田 直樹2、長田 貴弘2、小椋 厚志1 (1.明治大学、2.物質・材料研究機構、3.学振特別研究員DC)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
〇森 優樹1、西村 知紀1、矢嶋 赳彬1、右田 真司2、鳥海 明1 (1.東大院工、2.産総研)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇臼田 宏治1、上牟田 雄一1、株柳 翔一1、吉木 昌彦2、富田 充裕1、齋藤 真澄1 (1.東芝メモリ新規メモリ開発部、2.東芝研開センター)
スケジュール
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11:15 〜 11:30
〇小林 滉平1、吉田 晴彦1、新船 幸二1、佐藤 真一1、堀田 育志1 (1.兵庫県大)
スケジュール
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