13:00 〜 13:15
〇葛川 翔太郎1、松山 浩輝1、阿部 成海1、熊谷 祐希1、島津 裕一郎1、永友 航太郎2、中村 駿佑2、中山 雄介2、小林 一博1、久保田 弘1、橋新 剛1、吉岡 昌雄2 (1.熊大院自、2.熊大工)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2018年9月21日(金) 13:00 〜 17:15 135 (135)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
13:00 〜 13:15
〇葛川 翔太郎1、松山 浩輝1、阿部 成海1、熊谷 祐希1、島津 裕一郎1、永友 航太郎2、中村 駿佑2、中山 雄介2、小林 一博1、久保田 弘1、橋新 剛1、吉岡 昌雄2 (1.熊大院自、2.熊大工)
13:15 〜 13:30
〇松山 浩輝1、葛川 翔太郎1、阿部 成海1、熊谷 祐希1、中山 雄介2、中村 駿佑2、永友 航太郎2、小林 一博1、久保田 弘1、橋新 剛1、吉岡 昌雄2 (1.熊大院自、2.熊大工)
13:30 〜 13:45
〇(P)工藤 聡也1、石松 慎1、堀内 勇介1、大見 俊一郎1 (1.東工大)
13:45 〜 14:00
〇堀内 勇介1、工藤 聡也1、大見 俊一郎1 (1.東工大 工学院)
14:00 〜 14:15
〇ShuJun YE1、Tetsuo Endoh1 (1.Tohoku University)
14:15 〜 14:30
〇(PC)Mel Hainey1、Yoann Robin2、Hiroshi Amano2、Noritaka Usami1 (1.Grad. Sch. Eng., Nagoya Univ.、2.IMaSS, Nagoya Univ.)
14:30 〜 14:45
〇(M1)佐々木 杏民1、星井 拓也1、宗田 伊理也1、若林 整1、筒井 一生1、角嶋 邦之1 (1.東工大工)
14:45 〜 15:00
〇(D)Efi Dwi Indari1,2、Yoshiyuki Yamashita1,2、Takahiro Nagata1、Shigenori Ueda1,3、Ryu Hasunuma4、Kikuo Yamabe4 (1.NIMS、2.Kyushu Univ、3.SPring-8、4.Univ of Tsukuba)
15:15 〜 15:30
〇堀 健太1、周 一帆1、羽深 等1 (1.横国大院理工)
15:30 〜 15:45
〇平野 智暉1、中田 裕己1、山下 裕登1、李 韶賢1、川合 健太郎1、山村 和也1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
15:45 〜 16:00
〇(M1)Yizhe Ding1、Rengie Mark D Mailig1、Sohya Kudoh1、Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Tech)
16:00 〜 16:15
〇金井 隆宏1、長嶋 裕次1、平林 英明2、平川 雅章3 (1.芝浦メカトロニクス(株)、2.東芝マテリアル(株)、3.(株)東芝生産技術センター)
16:15 〜 16:30
〇(M2)花井 正直1、真田 俊之1、檜山 浩國2、福永 明2 (1.静大工、2.荏原製作所)
16:30 〜 16:45
〇増谷 浩一1、大渕 真志1、濵田 聡美1、三上 益弘2、高東 智佳子1 (1.荏原製作所、2.慶應大理工)
16:45 〜 17:00
〇(M2)牛島 大介1、甲斐 春貴1、久保田 弘1、橋新 剛1、吉岡 昌雄1 (1.熊本大自)
17:00 〜 17:15
〇松尾 美弥1、宮崎 賢都1、奥山 将吾1、羽深 等1、後藤 昭広2 (1.横国大院工、2.プレテック)
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