[20p-221C-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-221C-11] 三フッ化塩素ガスによる4H-SiCウェハエッチング分布の均一化

奥山 将吾¹、〇川崎 稜平¹、倉島 圭祐¹、羽深 等¹、高橋 至直²、加藤 智久³ (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

キーワード：三フッ化塩素ガス、エッチング速度

既往の研究において、SiCウェハのエッチングを高速化するため、三フッ化塩素ガス(ClF₃)ガスを用いて直径50 mmのSiCウェハをエッチングする装置を作製し、検証してきた。本研究では、その装置におけるガス分散盤の再設計を行い、単結晶4H-SiCウェハのエッチング速度分布の改善を試みたので、その結果を報告する。