2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20p-221C-1~15] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2018年9月20日(木) 13:45 〜 18:00 221C (2Fラウンジ1)

黒木 伸一郎(広島大)、江藤 数馬(産総研)

15:45 〜 16:00

[20p-221C-8] 多波回折明視野X線トポグラフィによるSiC単結晶基板中転位の同定

鎌本 春花1、藤田 優1、水落 博之1、津坂 佳幸1,2、松井 純爾2 (1.兵県大院物質理学、2.兵県大・放射光ナノテクセンター)

キーワード:SiC、転位、X線トポグラフィ

市販SiC単結晶基板中の転位を多波回折明視野X線トポグラフィを用いて観察した。SPring-8 BL24XU B2 ハッチにて15 keV の放射光を用いた。回折ベクトル g=m1, -m2, -m3で消失する転位のバーガースベクトルはb=a1, a2, a3 と同定できた。また、3本の転位線のバーガースベクトルがa1+a2+a3=0の関係をもちながら集合している様子が観察できた。