[21p-146-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21p-146-14] Quality Improvement and Suppression of Cracking for High-Temperature Annealed AlN Films

〇Kenjiro Uesugi¹, Yusuke Hayashi², Kanako Shojiki³, Kentaro Nagamatsu¹, Harumasa Yoshida¹, Hideto Miyake^2,3 (1.OPRI, Mie Univ., 2.Grad. School of RIS, Mie Univ., 3.Grad. School of Eng., Mie Univ.)

Keywords:AlN, Sputtering, Annealing

高効率深紫外光源実現のために高品質AlN/サファイアテンプレートが求められている。我々のグループでは、スパッタ法による成膜と高温アニールを用いて、サファイア基板上に安価かつ簡便に低転位密度のAlN膜が作製可能であることを報告してきた。今回、スパッタ成膜時の条件によってAlN膜に蓄積される応力を制御することで、高温アニールに伴うAlN膜へのクラック発生を抑制しつつ、従来以上の結晶性向上を確認した。