[21p-331-1~8] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[21p-331-7] Improvement in GaAsSb/InGaAs double-gate tunnel FET using Al₂O₃/ZrO₂ for gate insulator

〇(M2)Ryosuke Aonuma¹, Kise Nobukazu¹, Miyamoto Yasuyuki¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:III-V compound semiconductor, InGaAs, Tunnel FET

トンネルFETはバンド間トンネリングを用いたスイッチング原理により，MOSFETの理論限界である60 mV/decを超えたSSが達成可能であり，次世代の低消費電力デバイスとして期待されている。本研究ではGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネル FETにおいて，Al₂O3 /ZrO₂絶縁膜を採用することによるSSの改善，および，SSの最小値として56 mV/decを得たことを報告する。