[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[18p-G203-1] 複数回ストレスを利用した特性ばらつき自己修復手法によるSRAMデータ保持電圧の最小化

〇水谷 朋子¹、竹内 潔¹、更屋 拓哉¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：SRAM、自己修復技術、DRV

本研究では，ランダムしきい値電圧 (V_TH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において，ストレスを複数回に分けて印加する手法を提案し，さらにDRVを低下できること確認したので報告する．