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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／集積化技術

[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:00 G203 (63-203)

齋藤真澄(東芝)、宮地幸祐(信州大)

13:45 〜 14:00

[18p-G203-3] 階層型ストアフリー電源遮断を用いた不揮発性SRAMのエネルギー性能

〇(D)北形大樹¹、山本修一郎¹、菅原聡¹ (1.東工大未来研)

キーワード：ダークシリコン、パワーゲーティング、不揮発性SRAM