[19a-C302-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-C302-11] A surface morphology of a homo-epitaxial grown GaN on a freestanding GaN substrate

〇FUMIMASA HORIKIRI¹, YOSHINOBU NARITA¹, YOSHIODA TAKEHIRO¹ (1.Sciocs Co. Ltd.)

Keywords:GaN, Substrate off angle, Epi surface morphology

自立GaN 基板を用いた縦型デバイスにおいて、表面モフォロジーが逆方向リークに強く影響する事が報告されている。また、エピ層の表面モフォロジーは、基板オフ角やエピ成長条件等によって異なる事が知られている。本報告では、上記を議論するために必要な基板オフ角のウエハ面内における数学的な記述と実験的に求めた平坦なエピ表面が得られる基板オフ角の関係について報告する。