[19p-C204-1~17] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[19p-C204-14] プラズマ誘起欠陥を含むSi基板のC-V特性予測シミュレーション

〇濱野 誉¹、中久保 義則¹、江利口 浩二¹ (1.京大工)

キーワード：プラズマ、ダメージ、エッチング

半導体デバイスの急速な微細化に伴い、プラズマエッチング時に生じるSi基板表面および内部の欠陥がMOSFETの挙動、信頼性に影響を及ぼしている。本研究では、従来の深さ方向プロファイルに加えて、欠陥のエネルギー方向プロファイルを取り入れた包括的なモデルを構築し、C-V曲線をシミュレーションで予測し、特徴的な実験結果と比較する。