[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-5] Mgイオン注入を用いた縦型GaN MOSFETの実現

〇田中 亮¹、高島 信也¹、上野 勝典¹、松山 秀昭¹、江戸 雅晴¹、中川 清和² (1.富士電機、2.山梨大)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、MOSFET

n-GaNエピの一部に、濃度1E18cm^-3、深さ500nmのBOXプロファイルでMgを注入して形成した縦型MOSFETの特性を報告する。SiO₂をゲート絶縁膜に用い、しきい値が約9VのノーマリーオフMOSFET動作が確認された。オン抵抗はチャネル長に比例しており、設計寸法で素子特性を制御可能であることが確認できた。