[20a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-C101-3] クラスター気相合成法で形成したWSi_n (n=12)挿入膜のCu拡散防止特性

〇岡田 直也¹、内田 紀行¹、小川 真一¹、金山 敏彦¹ (1.産総研)

キーワード：シリサイド、コンタクト、バリア膜

W原子を内包するSiクラスター（WSi_n）を凝集させたアモルファス半導体薄膜（WSi_n膜、n=12）のCu拡散防止膜としての特性を評価した。WSi₁₂膜はCuに対する優れた拡散防止機能を有しており、100℃で10年間以上の実用的な信頼性寿命と1.33 eVの高い活性化エネルギーを持つ。