[20p-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-C101-4] ミニマル反応性スパッタ装置によるTiN膜の形成

〇野田 周一¹、田中 宏幸^1,2、根本 一正¹、古賀 和博²、薮田 勇気³、山本 直子³、亀井 龍一郎³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.誠南工業（株）)

キーワード：ミニマル、TiN、反応性スパッタ

フルミニマルプロセスでのTiNゲートCMOSデバイス実現のために、小型HiPIMS型ミニマル反応性スパッタ装置を開発した。TiターゲットとAr/N₂混合ガスを用いたTiN反応性スパッタにおける成膜レートや膜比抵抗の傾向、SEMで観察した結晶構造等から、メガファブ装置で形成したものと同等の膜質が得られる可能性が確認された。講演では、膜質や結晶構造についての詳細を議論する。