2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月20日(火) 13:45 〜 16:45 C101 (52-101)

米谷 玲皇(東大)

14:45 〜 15:00

[20p-C101-5] 流体力学からみたミニマルCVD装置の特徴

石田 夕起1,2、三ヶ原 孝則1、三浦 典子2、池田 伸一1,2、伊藤 孝宏3、羽深 等4、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.オリエンタルモーター、4.横国大)

キーワード:CVD、エピタキシャル成長、ミニマルファブ

ミニマルCVD装置のレイノルズ数は1以下であり、通常のメガファブ用CVD装置のレイノルズ数に比べ2~4桁小さい。低レイノルズ数領域では、ガス流れは炉内内部構造に大きく影響され、メガファブ装置では見られない特異な流れが生じる。シミュレーションによりこのような現象を解析し、低レイノルズ数領域でのガス流れを明らかにする。