14:45 〜 15:00
[20p-C101-5] 流体力学からみたミニマルCVD装置の特徴
キーワード:CVD、エピタキシャル成長、ミニマルファブ
ミニマルCVD装置のレイノルズ数は1以下であり、通常のメガファブ用CVD装置のレイノルズ数に比べ2~4桁小さい。低レイノルズ数領域では、ガス流れは炉内内部構造に大きく影響され、メガファブ装置では見られない特異な流れが生じる。シミュレーションによりこのような現象を解析し、低レイノルズ数領域でのガス流れを明らかにする。
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
2018年3月20日(火) 13:45 〜 16:45 C101 (52-101)
米谷 玲皇(東大)
14:45 〜 15:00
キーワード:CVD、エピタキシャル成長、ミニマルファブ