[20p-C101-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[20p-C101-6] Heating characteristics of SOI substrate in minimal laser heating furnace

〇kazushige sato^1,3, Takashi Chiba^1,3, Masao Terada^1,3, Shinichi Ikeda^1,2, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.Minimal Fab General Incorporated Association, 2.AIST, 3.Sakaguchi E.H VOC Corp.)

Keywords:Minimal Fab, Laser Heating

これまでミニマルレーザ加熱装置において、加熱均一性を熱酸化膜厚の面内ばらつきで評価し、この熱酸化膜をpMOSトランジスタのゲート酸化膜に適用し、トランジスタ特性の面内ばらつきを評価した。これらはバルクSiウェハの結果で、ウェハの材質、膜構造が異なると加熱特性が変わることが予想される。今回は、構造が異なるSOIウェハで加熱の制御が可能か検討した。