[20p-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-C101-6] ミニマルレーザ加熱装置におけるSOI基板の加熱特性

〇佐藤 和重^1,3、千葉 貴史^1,3、寺田 昌男^1,3、池田 伸一^1,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード：ミニマルファブ、レーザ加熱

これまでミニマルレーザ加熱装置において、加熱均一性を熱酸化膜厚の面内ばらつきで評価し、この熱酸化膜をpMOSトランジスタのゲート酸化膜に適用し、トランジスタ特性の面内ばらつきを評価した。これらはバルクSiウェハの結果で、ウェハの材質、膜構造が異なると加熱特性が変わることが予想される。今回は、構造が異なるSOIウェハで加熱の制御が可能か検討した。