[20p-C101-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[20p-C101-8] Analysis of micro loading effect in minimal ICP deep trench etching

〇Hiroyuki Tanaka^1,2, Hisato Ogiso^1,2, Shizuka Nakano^1,2, Yoshiyuki Nozawa^2,3, Toshihiro Hayami^2,3, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPPT)

Keywords:Bosch, minimalfab, micro loading

ミニマル高速ガス置換ICPボッシュプロセスについては、高アスペクト比加工の場合、µ Loading Effect効果でエッチャントが開放空間に比べ狭小空間で供給不足になるか、不要生成物の排出能力不足が考えられるが、科学的に検討する必要があった。その結果、真空度、ICPパワー、バックHe、デポ/エッチの時間配分が強い依存性を示した。圧力を下げ(5Pa)、パワーを下げ(25W)、バックHeを上げ（1.5kPa）、デポをエッチングよりも長くすれば良いと判った。