[20p-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-C101-8] ミニマル深掘りエッチング・マイクロローディング特性解析

〇田中 宏幸^1,2、小木曽 久人^1,2、中野 禅^1,2、野沢 善幸^2,3、速水 利泰^2,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード：ボッシュ、ミニマル、マイクロローディング

ミニマル高速ガス置換ICPボッシュプロセスについては、高アスペクト比加工の場合、µ Loading Effect効果でエッチャントが開放空間に比べ狭小空間で供給不足になるか、不要生成物の排出能力不足が考えられるが、科学的に検討する必要があった。その結果、真空度、ICPパワー、バックHe、デポ/エッチの時間配分が強い依存性を示した。圧力を下げ(5Pa)、パワーを下げ(25W)、バックHeを上げ（1.5kPa）、デポをエッチングよりも長くすれば良いと判った。