[18a-B11-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[18a-B11-8] 不揮発/擬似不揮発記憶を用いたSRAMのパワーゲーティング性能

〇吉田 隼¹、北形 大樹¹、山本 修一郎¹、菅原 聡¹ (1.東工大未来研)

キーワード：パワーゲーティング、SRAM、低待機時電力