[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-12] リセス構造ノーマリーオンAlGaN/GaN ヘテロ構造FETの電気的特性

〇佐藤 慧弥¹、國友 俊佑¹、清藤 泰旦¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大、2.東大生研)

キーワード：半導体、GaN、FET

AlGaN/GaN ヘテロ構造FET（HFET）においてリセス構造は、特にノーマリーオフ型のデバイス動作を実現するためにゲート電極下に適用されることが多い。今回我々はリセス構造の適用可能性の拡大を念頭に、ソース・ドレイン間の全領域に浅いリセス構造を適用したノーマリーオン型のデバイスを作製したところ、この構造に特徴的な優位な特性が得られた。