The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[18p-C309-1~13] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Wed. Sep 18, 2019 1:45 PM - 5:15 PM C309 (C309)

Akihisa Ogino(Shizuoka Univ.), Shota Nunomura(AIST)

4:15 PM - 4:30 PM

[18p-C309-10] Comparison of Ag thin films deposited in different Kr gas pressures

Ryosuke Sagara1, Midori Kawamura1, Takayuki Kiba1, Yosio Abe1, Kyung Ho Kim1 (1.Kitami Institute of Tech.)

Keywords:Kr, gas pressures, silver thin film

Arガス下での成膜ではガス圧に比例して得られる金属薄膜の特性は低下するとされている。しかし、Krガス下での成膜時のガス圧の影響はあまり調査されていない。そこで本研究では、異なるKrガス圧下で膜厚 150nmのスパッタAg薄膜を作成し、その特性を比較した。ガス圧1mTorrと2mTorrでのスパッタAg薄膜を比較すると、薄膜の特性に大きな差はないが、1mTorrでの成膜では特性の分布幅が広く、2mTorrでの成膜の方が適していると考えられる。