[18p-E304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-E304-2] プリアモルファス化Si中のフッ素によるホウ素拡散抑制

〇木我 亮太郎¹、植松 真司¹、伊藤 公平¹ (1.慶大理工)

キーワード：拡散、シリコン、フッ素

BF₂⁺イオン注入では，Fの存在がSi中のBの過渡的増速拡散を抑制することが知られているが，詳細な機構は明らかでなかった．これまでに我々は，Fの存在が空孔欠陥の放出を介してB拡散を抑制する機構とBと直接相互作用する機構それぞれが存在することを，Si安定同位体を用いた実験から明らかにした．本研究では，実験プロファイルを数値シミュレーション解析することで，拡散抑制機構の定量的なモデルを構築した．