[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-11] N極性GaN HEMT作製プロセスにおけるプラズマダメージの低減

〇早坂 明泰¹、青沼 遼介¹、堀田 航史¹、金井 七重¹、眞壁 勇夫²、吉田 成輝²、宮本 恭幸¹ (1.東工大工、2.住友電気工業)

キーワード：N極性 GaN HEMT、プラズマダメージ、アニール

N極性GaN HEMTは，抵抗が高いAlGaN（電子供給層）を介さずに2DEGへのコンタクトを取れ、電子供給層の厚みを任意に設計できるので、Ga極性GaN HEMTに比べ、低抵抗化、高電子濃度化に有利な可能性がある。一方で、N極性GaN HEMTは、プラズマや熱によってダメージを受けやすく、作製過程でシート抵抗が大きく劣化してしまうことを確認した。そこで、作製後のHEMTに対してアニールを行い、特性の変化を測定した。