[19a-B32-1~2] 8.8 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

[19a-B32-1] [プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演] プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～欠陥抑止半導体プラズマプロセスにむけ～

〇布村 正太¹、坂田 功¹、松原 浩司¹ (1.産総研太陽光発電研究センター)

キーワード：プラズマ、シリコン、欠陥

最先端半導体デバイスの作製には、成膜、エッチング、表面処理等の工程でプラズマプロセス技術が広く採用されている。デバイスの性能は、デバイス内の欠陥によって律速され、これら欠陥はプラズマプロセスにより生じる。従って、プロセス下の欠陥の発生のメカニズムを理解し、低欠陥プロセスを開発することが必要である。また、プロセス中のデバイス内に発生した欠陥は、通常、アニール処理によって修復される。しかしながら、欠陥の種類、材料やデバイス構造によって欠陥の修復は異なる。従って、欠陥の修復過程を理解し、最適なアニール温度や時間を設定することも重要である。本講演では、シリコン系半導体材料に対するプラズマプロセス下の欠陥の発生と修復ついて、最近の研究を紹介する。