2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

印刷

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-E301-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2019年9月19日(木) 09:00 〜 12:00 E301 (E301)

加藤 正史(名工大)

11:15 〜 11:30

▲ [19a-E301-7] Transient Response of Drain Current after Biasing-Stress in GaN HEMTs on SiC Substrates with Field Plate

〇Qiang Ma1、Yuji Ando2、Shiyo Urano1、Akio Wakejima1 (1.Nagoya Inst.of Tech.、2.Nagoya Univ.)

キーワード：Nitride semiconductor