2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19a-E304-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年9月19日(木) 09:00 〜 12:00 E304 (E304)

米谷 玲皇(東大)、福島 誉史(東北大)

09:15 〜 09:30

[19a-E304-2] マルチTSV構造電流端子を有するMEMSロゴスキーコイル

渡部 善幸1、加藤 睦人1、矢作 徹1、村山 裕紀1、九里 伸治2、吉田 賢一2、指田 和之2、新井 大輔2、池田 克弥2、池田 康亮2、竹森 俊之2 (1.山形工技セ、2.新電元)

キーワード:ロゴスキーコイル、MEMS、電流センサ

パワーデバイスの過電流検知を目的に、TSV構造の電流端子を有するMEMSロゴスキーコイル型電流センサを作製した(via径100µm,137ターン,チップサイズ10×10×0.3mm3)。高比抵抗のシリコン基板(>10,000Ωcm)を用いたデバイスでTSV電流端子に通電したところ、安定した電流検知を実現した。