[19a-E305-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[19a-E305-6] ALD法で形成したHfO₂/TiO₂/SiO₂構造中の界面ダイポール変調

〇浅沼 周太郎¹、住田 杏子¹、宮口 有典²、堀田 和正²、神保 武人²、齋藤 一也²、宮田 典幸¹ (1.産総研、2.アルバック)

キーワード：HfO2、メモリ、ALD