[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-10] Al ₂ O ₃ / AlInGaN / GaN金属-絶縁体-半導体
ヘテロ構造のトラップ状態の特性評価

〇藤田 紘空¹、ビスワス ディバリン¹、鳥居 直生¹、吉田 貴広¹、久保 俊晴¹、江川 孝志¹ (1.名工大院)

キーワード：窒化物半導体、4元窒化物

最近はAl ₂ O ₃ / AlInGaNの/ GaNの金属-絶縁体-半導体の高電子移動度トランジスタ（MIS-HEMT）は、様々な研究グループによって実証されている。しかし現在、パワーデバイスにおけるさらなる改善にに関連性があるAlInGaN/GaNベースのMIS-HEMTのトラップ状態についての十分な知見が不足している。本研究では異なる組成の4元窒化物を有するAl ₂ O ₃ / AlInGaN / GaN MISヘテロ構造におけるトラップ状態の特性評価を行った。