2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2019年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 PB3 (第二体育館)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-10] Al 2 O 3 / AlInGaN / GaN金属-絶縁体-半導体
ヘテロ構造のトラップ状態の特性評価

藤田 紘空1、ビスワス ディバリン1、鳥居 直生1、吉田 貴広1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大院)

キーワード:窒化物半導体、4元窒化物

最近はAl 2 O 3 / AlInGaNの/ GaNの金属-絶縁体-半導体の高電子移動度トランジスタ(MIS-HEMT)は、様々な研究グループによって実証されている。しかし現在、パワーデバイスにおけるさらなる改善にに関連性があるAlInGaN/GaNベースのMIS-HEMTのトラップ状態についての十分な知見が不足している。本研究では異なる組成の4元窒化物を有するAl 2 O 3 / AlInGaN / GaN MISヘテロ構造におけるトラップ状態の特性評価を行った。