[20a-B31-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B31-5] 陽極酸化アルミニウムのゲート絶縁膜応用によるIn–Ga–Zn–O薄膜トランジスタの低温作製

〇(M1C)森 海¹、是友 大地¹、河野 守哉¹、古田 守^1,2 (1.高知工科大、2.総研)

キーワード：薄膜トランジスタ

本研究では、全てのプロセスを150℃以下で行うTFTの作製に成功した。本研究グループでは、IGZO成膜時の水素添加がキャリア抑制剤として作用する事を立証しており、150℃での駆動が可能である。また、使用する酸化アルミニウムは二酸化ケイ素と比べ、高誘電率で、陽極酸化により室温形成が可能なゲート絶縁膜であり、これらを組み合わせることで、150℃以下のプロセス技術を実現した。