[20a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

[20a-C309-2] 酸素分圧変化によるHfO₂:Y/Si薄膜の配向と結晶構造の制御

〇佐保 勇樹¹、鎌田 大輝¹、高田 賢志¹、桐谷 乃輔¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：HfO2、PLD、酸素分圧

PLD法を用いてHfO₂:Y薄膜をSi基板上に作製した。酸素分圧を0.1~10mtorrの条件で作成した試料のX線回折2θ-ω測定の結果から1 mtorr以上の試料ではHfO₂薄膜の(001)単一配向成長が、0.1 mtorrの試料では(111)方向への配向成長が確認できる。また、8.6×10^-8 torrで成膜した試料のX線回折2θ-ω測定及びφスキャン測定の結果から (111)<110>HfO₂:Y/Siの方位でHfO₂:Y薄膜がエピタキシャル成長していることが確認できる。講演では、RHEEDによるその場観察の結果を用いてその成長過程を議論する。