[20a-E301-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-E301-10] GaN横型MISFETにおけるチャネル移動度に対する界面準位密度の影響2

〇安藤 悠人^1,6、中村 徹²、出来 真斗²、田岡 紀之¹、田中 敦之^2,3、渡邉 浩崇²、久志本 真希¹、新田 州吾²、本田 善央²、山田 永⁶、清水 三聡^2,6、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.物質・材料研究機構、4.名大赤﨑記念研究センター、5.名大VBL、6.産総研GaN-OIL)

キーワード：GaN、界面準位密度、チャネル移動度

窒化ガリウム(GaN)パワーMISFET において，導通損失を物性限界に近づけるためゲート絶
縁膜/GaN 界面におけるチャネル移動度の向上が必須である．Si MOSFET でのキャリアの散
乱要因は，チャネルに対して垂直の実効電界強度E_EFFあるいは表面電子濃度N_S に依って異なることが知られている．本研究ではAl2O3/GaN MIS 界面における界面準位密度
D_it およびMISFETにおける低電界移動度に対するゲートメタル堆積手法の影響について報告する．