[20a-E301-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-E301-11] Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS構造の電気的特性におけるALD原料の影響

〇(M2)東 雅人¹、上沼 睦典¹、吉嗣 晃治²、柳生 栄治²、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.三菱電機（株）)

キーワード：AlGaN/GaN、DMAH、原子層堆積法

Al₂O₃のAl原料ガスにDMAH(C₂H₇Al)およびTMA(C₃H₉Al)を利用し、Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS構造の電気的特性を比較した．
DMAHを用いて作製した試料 はTMAと比較して，CV特性の周波数分散が小さくAl₂O₃/AlGaN界面において特性が改善された．