[20a-E301-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [20a-E301-9] Thickness dependence of flat band voltage shift induced by gamma-ray irradiation in Al₂O₃/GaN MOS diodes with PMA

〇Keito Aoshima¹, Masahiro Horita^1,2, Shota Kaneki³, Jun Suda^1,2, Tamotsu Hashizume³ (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:MOS diode, GaN, interface trap

ALD堆積Al₂O₃/GaN MOSダイオードにおいてPost-Metallization Annealing (PMA)処理によりC-V特性の改善が報告されているが、そのメカニズムは不明である。我々はこれまでに、PMA処理あり・なしのAl₂O₃/GaN MOSダイオードに対してガンマ線を照射し、C-V特性の変化を調べ、フラットバンド電圧のシフトがPMAの有無で異なることを報告した。今回は、PMAの有無による違いの原因を解明すべく、3種類の酸化膜膜厚のAl₂O₃/GaN MOSダイオードを用意し、ガンマ線を照射することで、酸化膜中の電荷分布を調べた。