[20a-PA4-1~14] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[20a-PA4-8] Numerical Analysis of Influence of H₂ Dilution Rate on DLC Deposition Rate
using H₂/CH₄ Plasma-Enhanced CVD Model

〇(M2)Shin Ogawa¹, Akinori Oda¹, Takayuki Ohta², Hiroyuki Kousaka³ (1.Chiba Tech, 2.Meijo Univ., 3.Gifu Univ.)

Keywords:Plasma enhanced chemical vapor deposition, Thin film deposition simulation, Capacitively-coupled Plasma

本研究で構築したプラズマCVDモデルは，低温プラズマモデルとDLC膜堆積モデルから構成される．本モデルでは成膜を巨視的に扱うことで，膜厚や粒子含有率の計算が可能な現象論的モデルを用いた．膜の堆積は気相中の粒子と膜表面との反応による粒子の吸着や脱離などによって進行する．気相中から膜表面に飛来する粒子はプラズマモデルで計算した電極近傍での粒子フラックスの値を用いて計算を行った．