[20p-E301-1~9] 窒化物半導体エッチング技術　〜高制御性と低損傷性を求めて〜

[20p-E301-3] Atomic Scale Processing
for GaN Devices

〇伊藤 昌平¹、Agnieszka Kurek¹、Mike Cooke¹ (1.ｵｯｸｽﾌｫｰﾄﾞｲﾝｽﾄｩﾙﾒﾝﾂ)

キーワード：ALE、ALD、GaN

GaN HEMTデバイス製造におけるプラズマＡＬＤ／ＡＬＥプロセスの役割をご説明
GaN基板はMIS-HEMTデバイス製造において非常に有益になりうる存在ですが、その一方でプロセスに対して電気的に非常にセンシティブとなっております。GaNデバイスにおけるより良いパフォーマンスを引き出すためのプラズマALD/ALEプロセスの役割をご説明させていただきます。