[20p-E301-1~9] 窒化物半導体エッチング技術　〜高制御性と低損傷性を求めて〜

[20p-E301-4] GaN ウエットエッチング

〇堀切 文正¹、福原 昇¹ (1.サイオクス)

キーワード：窒化ガリウム、ウエットエッチング、光電気化学

GaN はその安定性から化学エッチングが困難であるが、光電気化学反応によりエッチングが可能である。本報告では、HEMTのリセス加工への応用のための、(1)安価な単一のUVC光源によるGaN中のホール生成および電解液中のSO₄^·-ラジカルの同時生成、(2)リン酸系電解液によるレジストマスクの適用、並びに、(3)カソード設計による半絶縁基板上GaN試料への適応など、基本的な要素技術について紹介する。