[20p-E301-1~9] 窒化物半導体エッチング技術　〜高制御性と低損傷性を求めて〜

[20p-E301-5] PECエッチングによるメサ構造GaN p-n接合ダイオード

〇三島 友義¹ (1.法政大)

キーワード：窒化ガリウム、ダイオード、ウェットエッチング

近年、GaNデバイスプロセスには適用が困難とされていたウェットエッチングの改良が進み、脚光を浴び始めている。本講演では、堀切らによる光電気化学（PEC）エッチングをメサ構造GaN p-n接合ダイオードの作製に適用し、従来のICPドライエッチングを用いた場合と比較しながらそのダメージレス効果について述べる。